貼片電容的評測與性能參數介紹
貼片電容是目前市場上使用較為廣泛的電容器之一,幾乎可以在任何一個電子電器的電路板中找到它們的身影。目前國內品牌中,風華高科是較為的制造工廠之一。那么如何判斷和評測一個疊層片式電容器(MLCC,貼片電容)的性能好壞呢?我們大概需要從從三個方面來進行。
1、首先是貼片電容的四個常規電性能,即容量Cap.損耗DF,絕緣電阻IR和耐電壓DBV,一般地,X7R產品的損 耗值DF<=2.5%,越小越好,IR*Cap>500歐*法,BDV>2.5Ur.
2、其次是貼片電容的加速壽命性能,在 125deg.c環境溫度和2.5Ur直流負載條件下,芯片應能耐100小時不擊穿,質量好的可耐1000小時不擊穿。
3、再次就是貼片電容的的耐熱沖擊性能,將電 容浸入300deg.c錫爐10秒,多做幾粒,顯微鏡下觀察是否有表面裂紋,然后可測試容量損耗并與熱沖擊前對比判別芯片是否內部裂紋。貼片電容在電路上出現問題,有可能是貼片電容本身質量不良,亦有可能是設計時選取規格欠佳或是在表面貼裝機械力熱沖擊等對貼片電容造成一定的損傷等因素造成。

風華代理商南京南山業內的例行監測實驗室
貼片電容概述:全稱:多層(積層、疊層)片式陶瓷電容器,也稱為貼片電容、片容.英文縮寫:MLCC。
貼片電容的顏色,常規見得多的就是比紙板箱淺一點的黃,和青灰色,這在具體的生產過程中會有產生不同差異, COG材質常規顏色是黃色,X7R材質常規以灰色為主。
主要規格尺寸,按英制標準分為:0201、0402、0603、0805、1206;以及大規格的1210、1808、1812、2220、2225、3012、3035等。
容量范圍:0.5pF~100uF,其中,一般認為容量在1uF以上為大容量電容。
額定電壓:從4V到4KV(DC),當額定電壓在100V及以上時,即歸納為中高壓產品。
貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質規格,不同的規格 有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對 于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法,這里我們引用的是南京南山半導體代理的風華高科貼片電容的命名方法,其他公司的產品請參照該公司的產品手冊。

風華高科代理經銷商授權證書
片式電容的穩定性及容量精度與其采用的介質材料存在對應關系,主要分為三大類別:
一、是以COG/NPO為I類介質的高頻電容器,其溫度系數為±30ppm/℃,電容量非常穩定,幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化,主要應用于 高頻電子線路,如振蕩、計時電路等;其容量精度主要為±5,以及在容量低于10pF時,可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。
二、是以X7R為II類介質的中頻電容器,其溫度系數為±15,電容量相對穩定,適用于各種旁路、耦合、濾波電路等,其容量精度主要為K檔(±10)。
特殊情況下,可提供J檔(±5)精度的產品。
三、是以Y5V為II類介質的低頻電容器,其溫度系數為:+30~-80,電容量受溫度、電壓、時間變化較大,一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80~-20),也可選擇±20精度的產品。
正確選擇一顆片式電容時,除了要提供其規格尺寸及容量大小外,還必須特別注意到電路對這顆片式電容的溫度系數、額定電壓等參數的要求。貼片電容標準命名方 法及定義:貼片電容的命名,國內和國外的產家有一此區別但所包含的參數是一樣的。詳細資料請訪問風華電容代理商南京南山半導體有限公司官方網站http://www.nscn.com.cn/tiepiandianrong.html
1、貼片電容的尺寸(0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220、2225)
2、貼片電容的材質(COG、X7R、Y5V、Z5U、RH、SH)
3、要求達到的精度(±0.1PF、±0.25PF、±0.5PF、5、10%、20%)
4、電壓 (4V 、6.3V、10V、16V、25V、 50V、 100V、 250V、500V、1000V、2000V、3000V)
5、容量 0PF-47UF
6、端頭的要求 N表示三層電極
7、包裝的要求 T表示編帶包裝,P表示散包裝 例風華系列的貼片電容的命名: 0805CG102J500NT 0805:是指該貼片電容的尺寸大小,這是用英寸來表示的08表示長度是0.08英寸(換算成mm=0.08*24.50=1.96mm)、05表示寬度 為0.05英寸換算成mm=0.05*24.50=1.225ccm
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容 器的介質損耗、容量穩定性等也就 不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
一、NPO電容器
NPO是一種常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質損耗穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小 于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小 于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。NPO電容器適合用于振 蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

南京南山半導體有限公司超過10億pcs貼片電容器現貨中轉庫存
二、X7R電容器
X7R電容器主要應用于要求不高的工業應用,而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。X7R電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現為10年變化了約5%。
三、Z5U電容器
Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電 容起來說在相同的體積下Z5U電容器有*大的電容量。但它的電容量受環境和工作條件影響較大,它的老化率*大可達每10年下降5%。
Z5U電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍+10℃--- +85℃
溫度特性+22% ---- -56%
介質損耗*大4%
盡管它的容量不穩定,由于它具有小體積、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)低、良好的頻率響應,使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路 的應用中。
四、Y5V電容器
Y5V電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍-30℃--- +85℃
溫度特性+22% ---- -82%
介質損耗*大5%
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃范圍內其容量變化可達+22%到-82%。
Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。
貼片電容的主要特性參數:
1、溫度系數:在一定溫度范圍內,溫度每變化1℃,電容量的相對變化值。溫度系數越小越好。
2、絕緣電阻:用來表明漏電大小的。一般小容量的電容,絕緣電阻很大,在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言,絕緣電阻越大越好,漏電也小。
1、首先是貼片電容的四個常規電性能,即容量Cap.損耗DF,絕緣電阻IR和耐電壓DBV,一般地,X7R產品的損 耗值DF<=2.5%,越小越好,IR*Cap>500歐*法,BDV>2.5Ur.
2、其次是貼片電容的加速壽命性能,在 125deg.c環境溫度和2.5Ur直流負載條件下,芯片應能耐100小時不擊穿,質量好的可耐1000小時不擊穿。
3、再次就是貼片電容的的耐熱沖擊性能,將電 容浸入300deg.c錫爐10秒,多做幾粒,顯微鏡下觀察是否有表面裂紋,然后可測試容量損耗并與熱沖擊前對比判別芯片是否內部裂紋。貼片電容在電路上出現問題,有可能是貼片電容本身質量不良,亦有可能是設計時選取規格欠佳或是在表面貼裝機械力熱沖擊等對貼片電容造成一定的損傷等因素造成。

風華代理商南京南山業內的例行監測實驗室
貼片電容概述:全稱:多層(積層、疊層)片式陶瓷電容器,也稱為貼片電容、片容.英文縮寫:MLCC。
貼片電容的顏色,常規見得多的就是比紙板箱淺一點的黃,和青灰色,這在具體的生產過程中會有產生不同差異, COG材質常規顏色是黃色,X7R材質常規以灰色為主。
主要規格尺寸,按英制標準分為:0201、0402、0603、0805、1206;以及大規格的1210、1808、1812、2220、2225、3012、3035等。
容量范圍:0.5pF~100uF,其中,一般認為容量在1uF以上為大容量電容。
額定電壓:從4V到4KV(DC),當額定電壓在100V及以上時,即歸納為中高壓產品。
貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質規格,不同的規格 有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對 于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法,這里我們引用的是南京南山半導體代理的風華高科貼片電容的命名方法,其他公司的產品請參照該公司的產品手冊。

風華高科代理經銷商授權證書
片式電容的穩定性及容量精度與其采用的介質材料存在對應關系,主要分為三大類別:
一、是以COG/NPO為I類介質的高頻電容器,其溫度系數為±30ppm/℃,電容量非常穩定,幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化,主要應用于 高頻電子線路,如振蕩、計時電路等;其容量精度主要為±5,以及在容量低于10pF時,可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。
二、是以X7R為II類介質的中頻電容器,其溫度系數為±15,電容量相對穩定,適用于各種旁路、耦合、濾波電路等,其容量精度主要為K檔(±10)。
特殊情況下,可提供J檔(±5)精度的產品。
三、是以Y5V為II類介質的低頻電容器,其溫度系數為:+30~-80,電容量受溫度、電壓、時間變化較大,一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80~-20),也可選擇±20精度的產品。
正確選擇一顆片式電容時,除了要提供其規格尺寸及容量大小外,還必須特別注意到電路對這顆片式電容的溫度系數、額定電壓等參數的要求。貼片電容標準命名方 法及定義:貼片電容的命名,國內和國外的產家有一此區別但所包含的參數是一樣的。詳細資料請訪問風華電容代理商南京南山半導體有限公司官方網站http://www.nscn.com.cn/tiepiandianrong.html
CG : 是表示生產電容要求用的材質,
102 : 是指電容容量,前面兩位是有效數字、后面的2表示有多少個零102 =10×102也就是=1000PF
J : 是要求電容的容量值達到的誤差精度為5%,介質材料和誤差精度是配對的
500 : 是要求電容承受的耐壓為50V 同樣500前面兩位是有效數字,后面是指有多少個零。
N : 是指端頭材料,現在一般的端頭都是指三層電極(銀/銅層)、鎳、錫
T :是指包裝方式,T表示編帶包裝,B表示塑料盒散包裝
南京南山南京總部業務大廳
貼片電容的命名所包含的參數:
1、貼片電容的尺寸(0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220、2225)
2、貼片電容的材質(COG、X7R、Y5V、Z5U、RH、SH)
3、要求達到的精度(±0.1PF、±0.25PF、±0.5PF、5、10%、20%)
4、電壓 (4V 、6.3V、10V、16V、25V、 50V、 100V、 250V、500V、1000V、2000V、3000V)
5、容量 0PF-47UF
6、端頭的要求 N表示三層電極
7、包裝的要求 T表示編帶包裝,P表示散包裝 例風華系列的貼片電容的命名: 0805CG102J500NT 0805:是指該貼片電容的尺寸大小,這是用英寸來表示的08表示長度是0.08英寸(換算成mm=0.08*24.50=1.96mm)、05表示寬度 為0.05英寸換算成mm=0.05*24.50=1.225ccm
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容 器的介質損耗、容量穩定性等也就 不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
0603B104K500NT |
0805B104K500NT |
0603B102K500NT |
0603B103K500NT |
0805B333K500NT |
0603CG220J500NT |
一、NPO電容器
NPO是一種常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質損耗穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小 于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小 于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。NPO電容器適合用于振 蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

南京南山半導體有限公司超過10億pcs貼片電容器現貨中轉庫存
二、X7R電容器
X7R電容器主要應用于要求不高的工業應用,而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。X7R電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現為10年變化了約5%。
0603B224K160NT |
0805B223K500NT |
0805F105M250NT |
0402B104K160NT |
三、Z5U電容器
Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電 容起來說在相同的體積下Z5U電容器有*大的電容量。但它的電容量受環境和工作條件影響較大,它的老化率*大可達每10年下降5%。
Z5U電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍+10℃--- +85℃
溫度特性+22% ---- -56%
介質損耗*大4%
盡管它的容量不穩定,由于它具有小體積、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)低、良好的頻率響應,使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路 的應用中。
四、Y5V電容器
Y5V電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍-30℃--- +85℃
溫度特性+22% ---- -82%
介質損耗*大5%
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃范圍內其容量變化可達+22%到-82%。
Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。
貼片電容的主要特性參數:
1、溫度系數:在一定溫度范圍內,溫度每變化1℃,電容量的相對變化值。溫度系數越小越好。
2、絕緣電阻:用來表明漏電大小的。一般小容量的電容,絕緣電阻很大,在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言,絕緣電阻越大越好,漏電也小。